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![历史首度：SK 海力士 2025Q2 反超三星电子成全球第一大存储企业]()
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![三星电子 2025Q2 营收 74.6 万亿韩元环比下降 5.8%，XR 头显和三折叠年内见]()
三星电子 2025Q2 营收 74.6 万亿韩元环比下降 5.8%，XR 头显和三折叠年内见
三星电子二季度营业利润 4.7 万亿韩元，环比下降 29.9%。该企业确认 Galaxy XR 头显和 Trifold 三折叠产品将在年内推出。07月31日 -
![消息称三星电子重新考虑在美国斥资 70 亿美元建设先进封装厂]()
消息称三星电子重新考虑在美国斥资 70 亿美元建设先进封装厂
泰勒市晶圆厂获特斯拉大额先进制程订单和韩美贸易谈判进入关键阶段是三星考虑改变原先决策的两大背景，这也将完善三星在美的先进半导体组合。07月30日 -
![马斯克称 165 亿美元仅是特斯拉-三星电子 AI6 芯片代工合同最低金额]()
马斯克称 165 亿美元仅是特斯拉-三星电子 AI6 芯片代工合同最低金额
韩媒消息称双方合作磋商始于 CES 2025 前后，于上周正式敲定，其间特斯拉力主三星以在美晶圆厂承接订单生产。07月29日 -
![消息称三星计划为 Exynos 2600 处理器率先导入 HPB 技术：封装内级别强化散热]()
消息称三星计划为 Exynos 2600 处理器率先导入 HPB 技术：封装内级别强化散热
HPB 的全称为 Heat Path Block，据称为一超小型铜基散热器，可与 LPDDR DRAM 内存一道集成在处理器芯片的上方。07月29日 -
![超越简单代工合作：埃隆?马斯克个人与特斯拉将参与三星美国晶圆厂效率优化]()
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![消息称三星电子 2018 年错失与英伟达制程、HBM、CUDA 综合深度合作良机]()
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![三星电子副总裁：现有热压缩键合无法满足 20 层堆叠 HBM 内存生产需求]()
三星电子副总裁：现有热压缩键合无法满足 20 层堆叠 HBM 内存生产需求
三星电子将 16 层堆叠视为 HBM 内存键合技术从热压缩键合转向混合键合的关键节点，后者在 DRAM Die 间距、热阻上均有优势。07月22日 -
![Counterpoint：SK 海力士 2025 年二季度存储营收追上三星电子]()
Counterpoint：SK 海力士 2025 年二季度存储营收追上三星电子
SK 海力士、三星电子和美光的二季度业绩环比增幅分别为 31%、18% 和 19%，各自来到 155 亿美元、155 亿美元和 102 亿美元。07月09日 -
![三星电子 2025 年第二季度初步财报：营业利润 4.6 万亿韩元，同比下降 55.94%]()
三星电子 2025 年第二季度初步财报：营业利润 4.6 万亿韩元，同比下降 55.94%
这是三星电子自 2023 年第 4 季度（28247 亿韩元）以来首次跌破 5 万亿韩元。以第二季度为准，这是自 2023 年第二季度（6685 亿韩元）2 年来的最低水平。07月08日 -
![消息称三星电子副会长赴美与英伟达洽谈 HBM3E 12 层产品供应及 HBM4 未来供货方向]()
消息称三星电子副会长赴美与英伟达洽谈 HBM3E 12 层产品供应及 HBM4 未来供货方向
三星电子正积极争取英伟达HBM3E 12层产品订单，已向AMD供货。若成功，将与SK海力士、美光展开更激烈竞争。同时，三星计划凭借更先进的HBM4技术实现反超。#芯片竞争##半导体#07月07日 -
![三星电子 2025 上半年绩效奖金公布：晶圆代工部门获零奖金]()
三星电子 2025 上半年绩效奖金公布：晶圆代工部门获零奖金
三星电子公布上半年目标达成激励（TAI）支付比例，半导体部门奖金比例大幅下降，高管主动退还奖金以示决心。其中，存储器业务单元奖金仅为25%，代工业务单元为0%。#三星电子##半导体行业#07月06日 -
![消息称三星电子因迟迟未获英伟达许可砍半 HBM3E 内存产量，避免过多积压]()
消息称三星电子因迟迟未获英伟达许可砍半 HBM3E 内存产量，避免过多积压
另一方面，三星在 HBM3E 12Hi 上已通过博通的质量测试，有望借此间接向大型科技企业的 AI ASIC 供应。07月05日 -
![消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设]()
消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设
V10 NAND 的 TLC 版本可实现 28Gb/mm2 的存储密度、5.6Gbps 的 I/O 引脚速率。07月02日 -
![三星晶圆代工举行 SAFE 论坛 2025 首尔场：聚焦挽回客户，引入 SF2P+ 工艺]()
三星晶圆代工举行 SAFE 论坛 2025 首尔场：聚焦挽回客户，引入 SF2P+ 工艺
三星计划将更多精力放在稳定与优化 2nm 及更早期制程工艺、提升良率表现上，相对放缓最先进制程推进速度。07月02日 -
![三星电子可持续发展报告确认其加入 SOCAMM 内存模块战场]()
三星电子可持续发展报告确认其加入 SOCAMM 内存模块战场
SOCAMM 模组有望成为英伟达 Vera Rubin 平台的一部分，为 Vera CPU 提供更灵活、更易维护的非板载内存选择。07月01日 -
![消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移]()
消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移
三星电子的 HBM4 12Hi 内存将使用 1c nm DRAM Die，1c nm 的表现将很大程度影响三星存储器事业部未来 1~2 年的营收表现。07月01日 -
![消息称三星 Galaxy S25 系列手机更多采用美光 LPDDR5X DRAM，自家 DS 事业部份额降至 40%]()
消息称三星 Galaxy S25 系列手机更多采用美光 LPDDR5X DRAM，自家 DS 事业部份额降至 40%
三星 Galaxy S25 系列更多采用美光 LPDDR5X DRAM，自家 DS 事业部份额降至 40%。业内人士透露，DS 事业部产品在良率、发热量和功率效率方面不如美光，导致订单比例失衡。未来供应格局仍存变数。#三星# #美光#06月30日 -
![消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存，16Hi 样品八月交付]()
消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存，16Hi 样品八月交付
虽然三星已有能力提供 HBM4 样品，但在 DRAM Die 和 HBM 堆栈的良率方面还有不小提升空间。06月27日 -
![消息称高通仍在测试三星 2nm 版骁龙 8 Elite Gen 2，同节点还有另一项目受测]()
消息称高通仍在测试三星 2nm 版骁龙 8 Elite Gen 2，同节点还有另一项目受测
据称该代号 "Kaanapali S" 的芯片计划今年下半年进行量产准备，明年一季度量产，届时三星 2nm 良率将超过 60%。06月26日
